浙江善仁烧结银烧结银膏厂家
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一 AS9375无压烧结银工艺流程:
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低,建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
二 AS9385加压烧结银工艺流程:
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低,建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下
6 预烘阶段:150度20-30分钟,界面是铜的基底建议氮气保护(金或者银除外)
7 预压阶段:150度加压0.5-1MPa,时间为:1-3秒;
8 本压阶段:220-280度加压10-30MPa,时间2-6分钟;
9 烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
三 其他建议:
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现:随烧结温度升高和压力加大,烧结体密度和硬度逐渐增大,尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间,增大的趋势更加明显;与此同时,烧结温度越高,烧结银块体的热导率也跟着增大,280℃烧结银的热导率已达到276W/(m·K)。
SHAREX善仁新材建议:纳米银烧结过程中,在温度较低的条件下,原子间发生表面扩散、表面晶格扩散和气相迁移,通过晶粒生长形成烧结颈,但是对烧结的致密化没有影响。 在高温下发生晶界扩散、晶界晶格扩散以及塑性流动,利于烧结结构的收缩和致密化。
5导电性不同:无压烧结银的体积电阻一般会在10-6Ω.CM级别,AS9375可以达到4*10-610-6Ω.CM,只比纯银的导电性低60%;而普通导电银胶的导电性一般会在10-4Ω.CM级别。
对于第三代半导体封装,射频器件,功率器件,大功率芯片封装来说,善仁新材的无压烧结银AS9375表现出了传统解决方案所没有的优势。