加压烧结银膏宽禁带烧结银

烧结银技术的优势与特点
1.什么是烧结银技术
20世纪80年代末期，Scheuermann等研究了一种低温烧结技术，即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。

SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique,LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，AS9385烧结银可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700℃）和高导热率（~240 W/m·K）的烧结银芯片连接界面，具有以下几方面优势：

芯片转印是指将芯片在银膜上压一下，利用芯片锐利的边缘，在银膜上切出一个相同面积的银膜并粘连到芯片背面。