LANSON捷捷微电陶瓷放电管,河南5DLJJMICRO放电管
-
面议
江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会会员单位。公司建有“江苏省企业技术中心”、“江苏省工程技术研究中心”。公司具备的技术创新能力、良好的市场信誉和业务网络,是国内电力半导体器件领域中,晶闸管器件及芯片方片化IDM(整合元件制造商,即覆盖了整个芯片产业链,集芯片设计,制造和封装测试一体)的半导体厂商。公司“捷捷”牌产品已销往日本、韩国、西班牙、新加坡、台湾等国家和地区,可靠的质量得到了用户的充分肯定。
放电原理
TVS管基于二极管雪崩效应,压敏电阻器基于氧化锌晶粒间的势垒作用,而气体放电管则是基于气体击穿放电。
选用半导体放电管应注意以下几点:
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中,大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。