供应KEYGE热保护型压敏电阻质量可靠

注意事项
　　选用压敏电阻器前，应先了解以下相关技术参数：标称电压是指在规定的温度和直流电流下，压敏电阻器两端的电压值。漏电流是指在25℃条件下，当施加大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8/20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值。通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流。浪涌环境参数包括大浪涌电流Ipm（或大浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的小时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内，浪涌脉冲的总次数N等。
　　一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称电压，即使在电源波动情况坏时，也不应额定值中选择的大连续工作电压，该大连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般应使用下式进行选择：VmA=av/bc式中：
　　a为电路电压波动系数;v为电路直流工作电压（交流时为有效值）;b为压敏电压误差;c为元件的老化系数，;这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的1.5倍，在交流状态下还要考虑峰值，因此计算结果应扩大1.414倍。
　　另外，选用时还注意：
　　（1）在电压波动大时，连续工作电压也不会超过大允许值，否则将缩短压敏电阻的使用寿命;
　　（2）在电源线与大地间使用压敏电阻时，有时由于接地不良而使线与地之间电压上升，所以通常采用比线与线间使用场合更高标称电压的压敏电阻器。
　　压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的大通流量。

贴片压敏电阻和TVS二极管用作过电压保护部件。
这些产品的结构和制造方法完全不同，但作为静电保护器件具有相似的性质。
因此，虽然在电路上都可以使用，但存在判断不能使用贴片压敏电阻的情况。
的确，由于其历史背景，产品目录和数据表中记载的不同项目很多，难以像电容器和其他通用部件那样，仅靠纸上记载的规格进行特性的比较。
因此，在本报道中，明确压敏电阻和二极管的不同之处，介绍可以进行二极管和压敏电阻比较的数据。

对施加过电压的反应速度
从盘型压敏电阻等初期的压敏电阻时的记忆中，压敏电阻的反应速度慢，经常听到这样的话。 但是，如下图所示，贴片压敏电阻和TVS二极管对施加过电压的反应速度一样。 施加IEC61000-4-2 HBM +8kV后，在1ns以内达到峰值，400ns后施加在保护部件上的电压值几乎为0。

在控制器区域网络(CAN)中使用贴片压敏电阻和TVS二极管时的4个要点
为了保护CAN Tranceiver，在控制器区域网络(CAN)中使用静电保护部件。 在此介绍在CAN线上选定静电保护部件时的要点。

大允许电路电压
在控制器区域网络(CAN)串行总线拓扑结构中，使用CANH、CANL信号后，可获得显性(dominant)和隐性(Recessive)的电平状态。 显性时，在CANH线上施加3.5V左右的电压，静电保护部件在此电压时作为绝缘体发挥作用。 因此，在这次的情况下，需要选择大允许电路电压为3.5V以上的静电保护部件。

此外，静电保护部件的漏电流具有温度依赖性，还需要考虑实际使用时的温度环境。 下图是典型的贴片压敏电阻和TVS二极管的漏电流温度特性。 随着高温的升高，漏电流会变大，但设计时使之低于50uA。

压敏电阻是一种用得多的限压器件。压敏电阻有碳化硅压敏电阻和氧化锌压敏电阻。

常用的是氧化锌（ZnO）压敏电阻，它主要是以氧化锌为原料，添加多种微量金属氧化物，经混合成型，烧结装配而成的一种过压保护器件,它的外面包封环氧树脂(可添加颜料)。

它相当于一个可变电阻，它是并联于电路中的。当电路在正常使用时，压敏电阻的阻抗很高，漏电流很小，可视为开路，对电路几乎没有影响。但当一很高的突波电压到来时，压敏电阻的电阻值瞬间下降（它的电阻值可以从MΩ（兆欧）级变到mΩ（毫欧）级），使它可以流过很大的电流，同时将过电压箝位在一定数值。由于压敏电阻的突波承受能力取决于它的物理尺寸，因而有可能获得不同的浪涌电流值。
贴片压敏电阻是限压型保护器件。利用贴片压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在贴片压敏电阻的两极之间时，贴片压敏电阻可以将电压钳位于相对固定的电压值，实现后级电路的保护。贴片压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

贴片压敏电阻的响应时间为ns级，比气体放电管快，比TVS管慢一点，一般用于电子电路的过电压保护其响应速度可满足要求。贴片压敏电阻的结电容器一般在数百到数千Pf的数量范围内，往往不应直接应用于高频信号线路的保护，应用于交流电路的保护时，其结电容器大会增加漏电流，因此在设计保护电路时需要充分考虑。贴片压敏电阻通流容量大，但小于气体放电管。贴片压敏电阻简称VDR，是对电压敏感的非线性过电压保护半导体部件。