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纳米烧结银北京烧结银高性价比烧结银

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传统钎焊料熔点低、导热性差,难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)的快速发展,对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。

银烧结是一种经过验证的芯片粘接技术,可确保无空隙和高强度键合,并具有高导热性和导电性。 这种有压烧结银AS9385技术良品率高,十分可靠。

①烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能;②由于银的熔点高达(961℃),将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性;

下一条:加压烧结银有压烧结银替代宽禁带半导体烧结银
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