IPB042N10N3GATMA1，英飞凌MOS场效应管原装

英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合，采用引线封装，采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品，具有全球低的 RDS（开启）在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD650P06NMATMA1
IPD65R190C7ATMA1
IPD65R1K4C6ATMA1
IPD65R225C7ATMA1
IPD65R380C6BTMA1
IPD65R380E6ATMA1
IPD65R600E6ATMA1
IPD65R950C6ATMA1
IPD70R600CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1
IPD78CN10NGATMA1
IPD80R1K0CEATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R2K0P7ATMA1
IPD80R2K4P7ATMA1
IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R450P7ATMA1
IPD80R4K5P7ATMA1
IPD80R900P7ATMA1
IPD900P06NMATMA1
更多型号请联系我们的业务专员，我们将竭诚为你服务！

汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合，我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始，到 10mm x 15mm 的尺寸，您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外，新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装，以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD60R180P7ATMA1
IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K4C6ATMA1
IPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R280P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1
IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R385CPATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1
IPD60R450E6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1
IPD60R600E6BTMA1
IPD60R600P7ATMA1
IPD60R650CEAUMA1
IPD60R750E6ATMA1
IPD60R800CEAUMA1
IPD60R950C6ATMA1
原装承诺，合作共赢！

汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 （SiC） MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET，包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性，并在空间和重量类别方面节省成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPC100N04S5L-2R6
IPD040N03LGATMA1
IPD050N10N5ATMA1
IPD090N03LGATMA1
IPD11DP10NMATMA1
IPD135N03LGBTMA1
IPD18DP10LMATMA1
IPD19DP10NMATMA1
IPD25DP06LMATMA1
IPD350N06LGBTMA1
IPD40DP06NMATMA1
IPD42DP15LMATMA1
IPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R280CEAUMA1
IPD50R2K0CEAUMA1
IPD50R380CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1
IPD50R520CPATMA1
IPD50R650CEAUMA1
IPD50R800CEAUMA1
原装，诚信合作，欢迎合作！

12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”，指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS（开启）.第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界佳的品质因数（FOM）以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA80R600P7XKSA1
IPA80R650CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R340C3XKSA2
IPA95R450P7XKSA1
IPB011N04LGATMA1
IPB011N04NGATMA1
IPB015N04LGATMA1
IPB015N04NGATMA1
IPB015N08N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1
IPB020N04NGATMA1
IPB020N08N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1
IPB034N03LGATMA1
更多型号请联系，网站内手机，期待你的合作！

P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA60R099C6XKSA1
IPA60R099C7XKSA1
IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1
IPA60R125C6XKSA1
IPA60R125CPXKSA1
IPA60R125P6XKSA1
IPA60R160C6XKSA1
IPA60R160P6XKSA1
IPA60R160P7XKSA1
IPA60R190C6XKSA1
IPA60R190P6XKSA1
IPA60R230P6XKSA1
IPA60R280C6XKSA1
IPA60R280E6XKSA1
IPA60R299CPXKSA1
IPA60R380E6XKSA1
IPA60R380P6XKSA1
IPA60R400CEXKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案，如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPD02N80C3ATMA1
SPD03N50C3ATMA1
SPD03N60C3ATMA1
SPD04N50C3ATMA1
SPD04N60C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1
SPD04P10PGBTMA1
SPD06N80C3ATMA1
SPD07N60C3ATMA1
SPD07N60S5BTMA1
SPD08P06PGBTMA1
SPD15P10PGBTMA1
SPD18P06PGBTMA1
SPD30N03S2L-07G
SPD30N03S2L-20G
SPD30P06PGBTMA1
SPD50P03LGBTMA1
SPI07N65C3XKSA1
SPP06N60C3XKSA1
SPP06N80C3XKSA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！