BTS7120-2EPA,功率电子开关英飞凌原装优势现货供应
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面议
IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性:
极低的RDS(开启)
出色的栅极电荷 x RDS(开启)(FOM)
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比,可靠性更高
无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC070N10NS3G
IRLR024NTRPBF
IRLR3410TRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR7440TRPBF
BSS308PEH6327
IRFR1205TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF9310TRPBF
BSS138NH6327
IRF7351TRPBF
BSC093N15NS5
BSS316NH6327
常用型号大量原装现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
IRFR13N15DTRPBF产品特性:
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能,即英飞凌超级势垒二极管(单片集成肖特基二极
管)。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0504NSI
IRF1104PBF
IPD053N06N
IRFBC20PBF
IPB057N06N
IRLZ24NPBF
IRF100B202
IRF2804PBF
IPP040N06N
SPA08N80C3
IRL2505PBF
IRFR5305TRPBF
IRFR024NTRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR7843TRPBF
常用型号大量现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
SPB80P06P-G描述:
P 沟道增强模式 场效应晶体管 (FET), -60V, D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求,例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要:
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准,无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IPT007N06N
IRL540NPBF
IRF100B201
BF998E6327
SPW20N60C3
IRFZ34NPBF
IRF2807PBF
IRF200P222
IRF520NPBF
IRF200S234
IRF1404PBF
SPP20N60C3
IRF1405PBF
IRLZ34NPBF
IRF540ZPBF
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
英飞凌是世界上的功率半导体元件制造商,可提供品类的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后,英飞凌将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系,进一步加强和扩展了该产品组合,从而得以立足于行业。
英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案,如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0702LS
IRF9540NPBF
IRFP250NPBF
BSS169H6327
IRFB3607PBF
IRFP260NPBF
IRFB4110PBF
IRFP250MPBF
IRFP150NPBF
BSS84PH6327
IRF5210PBF
IRLZ44NPBF
IRF630NPBF
IRFZ24NPBF
SPW47N60C3
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
静电保护_浪涌电压保护:当今的消费电子设备中,静电保护(ESD)对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS(瞬变电压抑制)二极管,以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列,力求在超小型封装内,以竞争力的价格提供的保护性能,同时质量水平高,性能稳健。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IAUA200N04S5N010
IPW60R037P7XKSA1
BSZ019N03LSATMA1
IPP60R360P7XKSA1
IPB320P10LMATMA1
IPD60R180C7ATMA1
IPP076N15N5AKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPD80R4K5P7ATMA1
IPU80R4K5P7AKMA1
BSL606SNH6327XTSA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
BSC520N15NS3GATMA1
IMW120R020M1HXKSA1
IPD30N10S3L34ATMA1
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速!
汽车场效应管应用
在汽车应用中,MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IKP20N60TXKSA1
IKW40N120H3FKSA1
IHW30N160R5XKSA1
IKW40N120CS6XKSA1
IKD10N60RFATMA1
BCR420UE6327
BCR421UE6327
BCR402UE6327
ILD6150XUMA1
BCR401UE6327
BCR430U
TLD23313EPXUMA1
TLE7259-3GE
IM69D130V01
BSS159NH6327XTSA2
我们只做原装,每颗芯片经得起检验!
汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合,我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始,到 10mm x 15mm 的尺寸,您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外,新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装,以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm,完善了满足这些特殊要求的产品组合,分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
IKW50N60H3
IKD06N60RF
IKW20N60H3
IHW40N65R5
IGW50N65H5
IGB20N60H3
IGP20N60H3
IKW40N120T2
IKW40N120H3
IKW75N65EH5
IKW75N65ES5
IHW30N160R5
IHW20N120R5
IKW25N120H3
FF300R12KT4
原装承诺,合作共赢!
英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合,采用引线封装,采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品,具有低的 RDS(开启)在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
IKW50N60T
IKW75N60T
IKA15N60T
IKW08T120
IKW15T120
IGW60T120
IKW30N60T
IKW40T120
IKP10N60T
IKP15N60T
IKW40N65H5
IKW50N65H5
IGP20N65H5
IKW30N60H3
IKW40N60H3
更多型号请联系我们的业务专员,我们将竭诚为你服务!
IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻(RDS(开启)*一)
输出电容中的能量存储非常低(E开放源码软件) @400V
低栅极电荷(Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点:
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
ICE3PCS03GXUMA1
ICE2QR2280G
ICE2QR2280Z
BSP76E6433
TLE6251DS
TLE9251VSJ
TLE6250GV33XUMA1
TLE6250G
TLS4120D0EPV33XUMA1
TDA21472
TLE8366EV50XUMA1
IR3897MTRPBF
XDPS2201XUMA1
ESD108B1CSP0201XTSA1
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1
ESD103-B1-02ELE6327
ESD105-B1-02ELE6327
ESD101B102ELSE6327XTSA1
ESD128B1W0201E6327XTSA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货,欢迎商务联系合作!