碳化硅烧结银替代美国烧结银车规碳化硅烧结银

个难题：烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中，传统有基板焊接功率模块中，焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。

由于材料的热膨胀系数不同、高温波动和运行过程中的过度负载循环将导致焊料层疲劳，影响宽禁带半导体模块的可靠性。

与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性，且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。