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生长Φ8“直拉硅单晶Φ8”热场研究及数值模拟\随着科学的飞速发展,出于提高生产率、降低成本的目的,器件厂家随着生产规模的扩大逐步要求增大硅片直径。硅单晶直径增大后,大熔硅体积、严重的热对流使单晶氧含量增大。晶体直径的增大也使结晶潜热的散发更加困难,结晶速率难以提高。为了解决这两个问题,本文在国产TDR-80单晶炉的基础上,对热场进行了局部改造,施加了新型加强复合式热屏。有限元法是一种能求得许多工程问题近似解的数值分析方法。由于拉单晶过程中投料量较大,炉体结构复杂、造价昂贵,所以拉晶实验成本太高。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，全文摘要为减少直拉式单晶生长炉的消耗的技术问题，本发明提供了一种直拉式单晶生长炉，其包括输入管、与输入管相连通的环形气体分布器；其特征在于经输入管输入的气压为0.8×10³Pa0.9×10³Pa，流量为30L/min。还包括设于坩埚支持器下方和排气口之间的碗形气流导向装置；其包括中轴孔、一对电极孔、以及与排气口相对的通气孔；石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔，所述电极柱分别穿过所述电极孔，排气口与气流导向装置的各通气孔相连通，气流导向装置的上端部设于保温筒与发热体之间。