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直拉式单晶生长炉的制作方法、专利名称：直拉式单晶生长炉的制作方法、技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的单晶炉剖面示意图；图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为炉底护盘、12为输 入管、11为分布有出气孔11-1的环形气体分布器、13为排气口。直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入，并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上，从而影响了单晶炉的使用寿命。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，采用辐射管加热，辐射管是由耐火陶瓷盘固定的电阻丝装于一个密封耐热钢管中，这样的结构使炉内气氛对加热元件不会有影响） 连续式电阻炉A． 推送式炉 B． 传送带式炉 C． 网带炉（适用于薄小零件的退火、烧结、钎焊及固溶处理。结构类似传送带式炉）D． 连续式转筒炉 E． 辊底炉（料盘在辊子上运动）F． 转底炉,