朝阳烧结银烧结银膏,纳米烧结银

烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况，总结出烧结银的工艺流程供大家参考：

二 AS9385加压烧结银工艺流程：
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低，建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下
6 预烘阶段：150度20-30分钟，界面是铜的基底建议氮气保护（金或者银除外）
7 预压阶段：150度加压0.5-1MPa，时间为：1-3秒；
8 本压阶段：220-280度加压10-30MPa，时间2-6分钟；
9 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。

烧结过程可分为初期、中期、末期三个阶段。
个阶段（烧结初期），颗粒之间逐渐通过点开始接触，并逐渐聚合形成烧结颈，这是通过原子间扩散作用而逐渐长大并导致的颗粒之间距离的缩小。 随着颗粒之间形成的颈部开始长大变粗并形成晶界，晶界滑移并带动晶粒生长，则进入该烧结过程中的第二阶段（烧结中期）

2 可靠性不同：AS9375烧结银冷热循环2000次才出现失效；AS6080普通导电银胶只能耐200次冷热循环。

5导电性不同：无压烧结银的体积电阻一般会在10-6Ω.CM级别，AS9375可以达到4*10-610-6Ω.CM，只比纯银的导电性低60%；而普通导电银胶的导电性一般会在10-4Ω.CM级别。

6 粘结器件不同：烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。