善仁加压烧结银膏大功率芯片烧结银

经过第三方的测试，善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa，剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度，

银烧结技术具有方面的成本效益，包括高吞吐量、低成本、高良率和低人工成本等。时至今日，已经有不少厂商提供采用银烧结技术制造的功率模块，

现有的基板铜层的贵金属镀层也增加了成本；散热新材开发的 AS9385有压纳米烧结银可以焊接裸铜，大大降低了客户的生产成本；

现有的银烧结技术需要一定的辅助压力，高辅助压力易造成芯片的损伤；善仁新材的有压烧结银AS9375可以无压烧结；

现有的银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，善仁新材的烧结银无论是有压烧结银还是无压烧结银都没有空洞。

随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）越来越多的应用在更加高温、高压和高频的环境，相应的封装材料和结构，尤其是芯片-基板的互连，在导热、导电和可靠性方面提出了更为严苛的要求。