银烧结银日本烧结银替代铜带烧结银

大面积烧结银的导热系数为： 200W/m·K， （激光闪射法）；剪切强度为60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

以上数据信息是基于我们在温度 25℃，湿度 70％的环境下对产品研究测试所得到的典型数据，仅供
客户使用时参考，并不能完全于某个特定环境进能达到的全部数据。

大面积烧结银的使用要求
1. 使用前回温至室温；
2. 使用前在行星搅拌机中进行 2500rpm/30s 搅拌处理；
3. 框架表面镀金、银，芯片背面镀金、银

大面积烧结银适用芯片尺寸≦8×8mm；
5. 对于芯片尺寸≦4×4mm，湿胶厚度 50-80μm；芯片尺寸 5×5 ~ 8×8mm，湿胶厚度 90-120μm。

大面积烧结银AS9378的 施工环境和用具、被粘物品等需保持充分干燥；
4. 使用时需佩戴手套，如沾到皮肤上可用肥皂水清洗干净

使用者应先确定产品是否符合所需之用途，需承担使用这些产品有关之风险和责任。卖方不承担使用者或其他有关人士承担因使用（包括不当使用）卖方的产品而引起的伤害或任何直接、间接、意外或后续性损失的责任。