池州长晶炉回收控制屏回收联系电话

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DL-78型单晶炉的热场和减压工艺\1前言集成电路生产的发展一方面不断缩小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不断扩大硅片直径以减少芯片的离故度和降低成本。相应地，作为集成电路基础材料的硅单晶生产也在不断地提高其技术质量指标和增大单晶锭的直径和长度，以满足电路的要求和降低自身的生产成本。在国外市场上，硅晶体直径大致每4～5年增长1时（25．4mm），相应地，生产投料重也由1公斤逐渐发展为3～5公斤、8～12公斤、15～刘公斤和朋～6O公厅等几个等级。在这发展中，有两个条件是相辅相成、共同进步的，这是单晶炉和拉晶工艺。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，用于熔化硅料的外部化料器7，所述外部化料器7的和加料坩埚62相连通，所述外部化料器7的底端和主炉室坩埚21相连通，以便将硅料加加料坩埚62后，硅料漏外部化料器7后被外部化料器7熔化，被熔化后的硅料流主炉室坩埚21内。具体地，外部加料器6和外部化料器7之间设置有旋阀64，以便通过旋阀64控制外部加料器6和外部化料器7之间是否连通，所述外部化料器包括装料器71、化料器坩埚72和用于给化料器坩埚72加热以便硅料熔化的热场73，所述装料器71和加料坩埚62相连通，所述化料器坩埚72和装料器71相连通，

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原理编辑，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。