银烧结技术,激光器件烧结银,低温烧结纳米银膏价格

随着5G移动通信、雷达探测、轨道交通、光伏发电、半导体照明、高压输变电等领域的快速发展，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势成为支持新基建的核心材料。

以近期国内外大热的新能源汽车为例，新能源汽车存在的核心困难是充电速率过慢，主流的研究热点集中在快速充电技术上，而快充技术的实现就需要用到高压SiC半导体器件。

在射频通信方面，GaN技术正助力5G通信的发展。5G移动通信从人与人通信拓展到万物互联，预计2025年将产生1000亿个设备的连接。

当今世界能源发展以电为中心、以新能源大规模开发利用和电动汽车等新型用电设施广泛发展为标志的新一轮能源革命蓬勃兴起。

推动中国宽禁带功率半导体产业，成为发展建设绿色节能社会与智能制造的关键一环。在中国加速推进碳达峰、碳中和的背景下，能大幅降低电力传输中能源消耗的宽禁带半导体正快速成为中国半导体行业研究的。

半导体封装材料在电力电子器件中起着信号传递、热量扩散、机械支撑等作用，对半导体器件的服役能力与可靠性寿命有决定性影响。随着半导体器件功率密度与服役温度的提升，导电胶等封装材料已无法满足可靠连接的需求。只有善仁新材的烧结银材可以满足膏功率器件的封装要求。