台基可控硅Y38KAC交流功率的调节和控制

可控硅产品性能特点：
1、在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态；
2、可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用；
3、可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；，成本低等等；
4、可控硅从外形类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅主要参数：电流
1、额定通态电流即大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压或断态重复峰值电压，俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏；
3、控制极触发电流，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安；
4、在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。

可控硅使用的10条要知道的规则:
1、为了导通闸流管（或双向可控硅），有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件满足，并按可能遇到的低温度考虑；
2、要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流 间，使能回复至截止状态。在可能的高运行温度下满足上述条件；
3、设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）；
4、为减少杂波吸收，门极连线长度降至低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双向可控硅；
5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 双向可控硅；
6、假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路；
7、选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以较大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力；
8、若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，负载上串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通；
9、器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧；
10、为了长期可靠工作，应Rth j-a 足够低，维持Tj 不Tjmax ,其值相应于可能的较高环境温度。