台基晶闸管KP1000A1900V斩波器价格实惠

可控硅的特性：常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等；
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值；
2、 正向阻断峰值电压：在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值；
3、 反向阻断峰值电压：当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值；
4、 触发电压在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压；
5、 维持电流：在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）；
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

可控硅使用的10条要知道的规则:
1、为了导通闸流管（或双向可控硅），有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件满足，并按可能遇到的低温度考虑；
2、要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流 间，使能回复至截止状态。在可能的高运行温度下满足上述条件；
3、设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）；
4、为减少杂波吸收，门极连线长度降至低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双向可控硅；
5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 双向可控硅；
6、假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路；
7、选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以较大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力；
8、若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，负载上串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通；
9、器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧；
10、为了长期可靠工作，应Rth j-a 足够低，维持Tj 不Tjmax ,其值相应于可能的较高环境温度。

可控硅使用注意事项：
1、外加电压极性要正确，即阳极到阴极之间加正向电压，控制极到阴极之间也加正向电压；
2、为了可控硅安全工作，应选择额定耐压为实际工作电压的2~3倍，正向平均电流为实际工作电流的1.5~@倍的管子；
3、为了可控硅可靠地导通．应尽量用大的触发电压和触发电流，因眺电压、电流较大可以相应降低可控硅的转折导通电压。比如额定触发电压为2.5V的，可使用4.5V以上的电压，但为防止PN结烧毁．—般以不超过10V为好；
4、焊接或紧固可控硅时，电气接触良好，否则因侧啪接触电阻就会引起很大的功率消耗；
5、可控硅的保护方法：一是散热，可控硅是大功率器件，散热是一个的问题，规定20A以下的可控硅靠自身散热器自然散热，20A以上的大电流可控硅则强迫冷却，其方法有风冷和水冷散热。二是过流保护，虽然在选择可控硅时已留有余量，但也可能出现超过额定值的情况，为此可在可控硅阳极或阴极串联一个熔断器，应选快速熔断器，如RSL、RSO、RSS等型号；
6、可控硅损坏后的修理：如果是可控硅性能变坏引起误导通，造成电器工作时好时坏，只要确认其它元件无问题，则可暂时拆去可控硅不用，待买到同型号可控硅时再捍上使用；根据可控硅的结构特点和原理，可用合适参数的三极管组成复合管代用；可以选择同型号或相同参数(正反向重复峰值电压、额定正向平均电压、控制极触发电压和电流)的可控硅代换，各种型号的进口可控硅均可用国产可控硅代换，代换时要注意外形尺寸相近，以便安装。

可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅的特性：常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路等等。

可控硅的主要作用：
1、普通晶闸管基本的用途就是可控整流。以简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通；
2、通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ；
3、α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。

可控硅又叫晶闸管。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

可控硅的主要工作特性：
为了能够直观地认识可控硅的工作特性，大家先看这块示教板(图)。可控硅VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型可控硅，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。可控硅与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给可控硅阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明可控硅没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明可控硅导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢；
这个实验告诉我们，要使可控硅导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。可控硅导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。

可控硅的工作原理为：
1、要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态；
2、如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源或使阳极电流小于维持导通的小值（称为维持电流）。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。