集安氧氯化锆回收

金属靶材：
镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、铈靶、Ce、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等金属溅射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等陶瓷溅射靶材。
3.合金靶材
镍铬合金靶、镍钒合金靶、铝硅合金靶、镍铜合金靶、钛铝合金、镍钒合金靶、硼铁合金靶、硅铁合金靶等高纯度合金溅射

各种类型的溅射薄膜材料，铪靶，锆靶在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。
市场概况
日本。就美国而言．约有50家中小规模的靶材制造商及经销商，其中大的公司员工大约有几百人。不过为了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服务，主要靶材制造商通常会在客户所在地设立分公司。近段时间，的一些国家和地区，如台湾．韩国和新加坡，就建立了越来越多制造薄膜元件或产品的工厂，如IC、液晶显示器及光碟制造厂。
对靶材厂商而言，这是相当重要的新兴市场。中国靶材产业发展也是与日俱增，不断的扩大自己的规模和生产技术，国内一线生产制造靶材的已经达到国外的技术水平。2010年，日本三菱公司就在中国台湾地区建立了光碟埘靶材的生产基地，可以满足台湾50%的靶材需要。

我们曾在多种农药设备上进行过工业锆的应用研究，如在农药反应罐中进行了锆的实际应用与挂片试验。农药水解反应的条件为：20%硫酸+甲萘胺；温度220-250℃；15个大气压（1520kPa)，一个流程时间为7h，在此条件下设备腐蚀严重，1mm厚普通钢板，反应后即腐蚀穿孔。原采用罐内搪12- 14mm厚的铅层为防腐层，则易污染环境，铅的抗腐蚀也较差，一个搪铅反应罐，仅能使用50-60批料即穿孔漏液。锆挂片试验条件为：生产介质20%硫酸+甲萘胺；生产200-250℃；压力14-15个大气（1419- 1520kPa)。结果表明，随时间增加，锆母材与焊缝区氧含量稍有增加，但增加速度较缓，对锆的力学性能未引起恶化。而氢含量却在这种介质腐蚀中逐渐下降，可减少脆性，对锆有利，年腐蚀率仅为 0.024-0.04mm/a。