淮北超快恢复高压二极管供应商

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。

快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种主要应用于功率变换电路中的二极管，它的主要作用是能够迅速地回复到初始状态，并且具有较高的反向耐受电压以及较低的正向导通压降。快恢复二极管是半导体器件的一种，与常规二极管相比，其恢复时间更短，符合功率系统对于高频和的需求。

面对高频应用，人们总是希望trr更短，二极管恢复更快。我们熟悉的肖特基二极管在高频应用中有非常好的表现，trr可以低至几十甚至几nS，Qrr可以低至几十nC。但是，所谓“人无完人”，肖特基二极管也有它的弱点，即反向漏电流大，反向耐压低，所以可以用在低电压场合，但不能在几百伏的高压应用中工作。

人们通过掺杂制造了具有更高反向耐压结构的二极管，但这种方法的“负面影响”是会引起更高的正向压降，对比于肖特基二极管，它的trr也比较高，达到数百纳秒。因此，如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。

通过采用特的掺铂 (Pt) 工艺，超快恢复二极管系列产品可实现快几十nS的反向恢复时间，高反向电压可达一千多伏，额定电流也可以达到上百安，高工作结温为175℃。

高压整流二极管系列产品是由多个微型单元 PN 结芯片掺杂特殊金属采用工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件，实现耐高电压和大电流的层状单元结构。