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本发明的直拉式单晶生长炉中,经 输入管输入的气压为0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量为30L/min。 该流量不但不影响该炉中单晶的生长,平均每个直拉式单晶生长炉每 天可少消耗1440L,有效降低了生产成本,且利于在硅单晶生长过程 中单晶分子排列结构的整齐性,还利于提高电阻率的均布性。(2)本发明 的直拉式单晶生长炉中,碗形的气流导向装置设于坩埚支持器下方和炉底部的排气口之间,且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石 墨中轴及一对电极孔配合设置,有效地减小了炉内空间,便于迅速及时地 将炉内的一氧化硅与的混合气体排出,且利于减少热能和的消耗量,使原有的引晶功率从65KW减到61KW;另外,由于该炉的排气口与气流 导向装置的各通气孔相连通,蓝宝石长晶炉回收,多晶硅铸锭炉回收,提拉式长晶炉回收,多晶长晶炉回收,卧式长晶炉回收,拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收,真空泵回收,真空流量计回收,plc编程回收,控制屏回收,离子泵回收,涡轮分子泵回收,螺杆真空泵回收,涡旋高真空泵回收,直拉式单晶生长炉的制作方法、专利名称:直拉式单晶生长炉的制作方法、技术领域:本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术:图1为切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的单晶炉剖面示意图;图1-2 中,l为炉筒,2为保温盖,3为保温盖,4为保温材津牛,5为保温罩,6为 加热器,7为水套,8为石英埚,9为导流筒,IO为炉底护盘、12为输 入管、11为分布有出气孔11-1的环形气体分布器、13为排气口。直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入,并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合,由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成, 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上,从而影响了单晶炉的使用寿命。
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