STW23NM50N，ST意法场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G071KBU6功能描述：
主流Arm Cortex-M0+ MCU，具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口，1.7-3.6V
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STFU10N80K5
STFU10NK60Z
STFU13N65M2
STFU15N80K5
STFU16N65M2
STFU23N80K5
STFW1N105K3
STFW2N105K5
STFW3N170
STFW45N65M5
STFW8N120K5
STH10N80K5-2AG
STH12N120K5-2
STH15810-2
STH30N65DM6-7AGST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB30N65DM6AG
STB30N65M2AG
STB30N80K5
STB30NF10T4
STB30NF20
STB31N65M5
STB32NM50N
STB33N60DM6
STB33N60M6
STB34N65M5
STB36NM60N
STB36NM60ND
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS（开启）单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！