W25X40CVSNBG，WINBOND/华邦内存闪存芯片

W25Q32JV（
32M位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和
性能远远超过普通的系列闪存设备。它们是理想的代码阴影到RAM，直接从双/四轴SPI（
XIP）执行代码，并存储
语音、文本和数据。该设备运行在一个2.7V到3.6V的电源与1µA断电。所有的设备都有节省空间的套餐。
W25Q32JV阵列被组织成16,384个可编程页，每页有256字节。一次多可以编程256个字节。页面可分为16组(4KB
扇区清除）、128组(32KB块删除）、256组(64KB块删除）或整个芯片（芯片清除）。W25Q32JV分别有1,024个可
擦除扇区和64个可擦除块。小型的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W19B160BBT7H W24L257S70LL
W19B320ABT7H W256128JVSIQ
W19L320STT9C W25D40VNIG
W241024AI-15 W25D40VSSIG
W24129AS-35 W25D80SCP
W24257AJ-15 W25D80VSSIG
W24257AS-35 W25H512JVFAM
W24258-70LL W25LQ32DWIG
W2465AJ-15 W25M02GVZEIG
W2465S-70LL W25M02GWZEIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W29N02KV系列产品：
W29N02KVSIAF
W29N02KVBIAF
一般描述 W29N02KV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，3V 时有功电流消耗低至 25mA，CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 285，212，672 字节，并组织成 2，048 个 139，264 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，176 字节。每个页面由 2，048 字节用于主数据存储和 128 字节用于备用数据区域组成（备用区域通常用于错误管理功能）。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q256JWFQ W25Q32FVAIQ
W25Q32BVAIG W25Q32FVCIP
W25Q32BVFIG W25Q32FVDAIQ
W25Q32BVIG W25Q32FVFIG
W25Q32BVS1G W25Q32FVIG
W25Q32BVSIG W25Q32FVSFIG
W25Q32BVSSAG W25Q32FVSIG
W25Q32BVSSIG W25Q32FVSIQ
W25Q32BVZPIG W25Q32FVSSIG
W25Q32DWSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q32DWZPIG W25Q32FVTBIP
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。

W958D6DBC：这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。