TS3USB31RSER，TI汽车级芯片

TI德州仪器电池管理 IC电池充电管理芯片部分型号参数性能：
BQ25629RYKR
具有 USB 检测和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25628 具有升压模式和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25629 具有 USB 检测和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25622 具有 18V 大输入、电流限制、ADC 和 OTG 的 I²C 控制型单芯 3.5A 降压电池充电器
更多型号：
LM61480Q4RPHRQ1 PTH04000WAZT
CDCM9102RHBR LMV324MTX/NOPB
SN74LV4T125PWR TMP75CQDGKRQ1
TPS73218DCQR BQ25505RGRT
REF3325AIDCKT TPS23750PWP
F28384DZWTQR TPS51220ARTVT
LV2862YDDCR MSP430F169IRTDR
LM4050QAIM3-2.0/NOPB TLV61220DBVR
SN74LVC1G14DRYR ISO7142CCDBQ
TPS73733DCQR TPS5420MDREP
SN74AUC1G08DRLR TMP461AIRUNT-S
OPA2170AIDCUT TUSB211IRWBR

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TPS61029QDRCRQ1
符合 AEC-Q100 标准的 0.9V 至 5.5V 输入范围、1.8A 升压转换器
封装信息
封装 | 引脚
VSON (DRC) | 10
工作温度范围 (°C)
-40 to 125
包装数量 | 包装
3,000 | LARGE T&R
TI/德州仪器电源管理芯片型号多，规格齐，需要具体型号请咨询。
其他部分型号有：
TPS78408QDBVRQ1
TPS74630PQWDRBRQ1
TPS74613PQWDRBRQ1
TPS6565342RHDTQ1
TPS61251DSGT
TPS22990DMLT
LMX2595RHAR
DAC8734SPFBR
TCAN334D
REF3430QDGKRQ1
TPS62130ARGTR