FUSB302TMPX,USB芯片ON/安森美原装优势供应商
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¥15.00
MM74HC08简述:
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术,可实现与LS-TTL门相似的工作速度,并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出,提供高抗噪性,并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护,不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
FCH110N65F-F155
NVH4L060N090SC1
NTH4L070N120M3S
NTH4L045N065SC1
NTH4L014N120M3P
NTH4L060N090SC1
NTH4L022N120M3S
NVH4L045N065SC1
ON/安森美全系只做原装,我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询!
NCV1117DT50RKG
NCP1117 系列是低压差 (LDO) 正线性稳压器,能够在整个温度范围内提供超过 1.0 A 的输出电流,大压差为 1.2 V(800 mA)。该系列包含 1.5 V、1.8 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V 和 12 V 的 1 个固定输出电压,没有维持稳压的小负载要求。此外,还包括一个可调输出版本,可通过两个外部电阻器在 25.18V 至 8.1V 范围内进行编程。片上微调将基准/输出电压调节至+/- 0.1117%精度以内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和过温关断保护。NCP20 系列可在高达 223 V 的输入电压下工作。器件采用 SOT<> 和 DPAK 封装。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ADT7462ACPZ-REEL
CAT24M01HU5I-GT3
MC74ACT541DWR2G
74VCX163245MTDX
FFH50US60S-F085
NCV97400MW00R2G
NCP81111MNB5TXG
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NTHL027N65S3HF功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 75 A, 27.4 mΩ, TO-247®®
功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 75 A, 27.4 mΩ, TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,该系列采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗,提供的开关性能,并承受极端的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路,用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品,工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
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FCH085N80-F155功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET II, 800 V, 46 A, 85 mΩ, TO-247
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在大限度地降低传导损耗,提供的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源和工业电源应用。®
UC3843BVD1R2G简述:
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
CAT5132ZI-10-GT3
CAT5113VI-01-GT3
ISL9R3060G2-F085
FGB20N60SFD-F085
FGH75T65SQD-F155
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FSA2567UMX简述:
模拟开关(DPDT、SPDT、SPST 和其他配置),用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、,针对双SIM卡的双掷(4PDT)模拟开关多路复用。它经过优化,可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号,并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容(CON),以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压(VCC)。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序,如手机;允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NVMFWD024N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS020N06CT1G
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
PCS3P8504AG-08CR
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NCV7356D1R2G/NCV7356D2R2G简述:
NCV7356 是一款用于单线数据链路的物理层器件,能够使用多种具碰撞分解的载波感测多重存取 (CSMA/CR) 协议运行,如博世控制器区域网络 (CAN) 2.0 版。此串行数据链路网络适用于不需要高速数据的应用,低速数据可在物理介质部件和微处理器和/或使用该网络的逻辑器件中实现成本降低。该网络应该能够以正常数据速率模式或高速数据下载模式运行,适用于组装生产线和服务数据传输运行。高速模式仅在总线连接板外服务节点时运行。此节点应提供实现更高速运行的临时总线电子负载。此类临时负载在不执行下载运行时应消除。正常通信的典型比特率为 33 kbit/s,对于上述高速传输,推荐的典型比特率为 83 kbit/s。NCV7356 是根据单线 CAN 物理层规范 GMW3089 V2.3 设计的,支持很多附加功能,如欠压锁定、故障阻断输入信号超时、总线振铃时的输出间隔时间,以及极低睡眠模式电流。ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
AR0134CSSC00SPCA0-DPBR
AR0130CSSC00SPCA0-DPBR
AR0130CSSM00SPCA0-DRBR
AR0230CSSC12SUEA0-DR-E
NCH-RSL10-101Q48-ABG
NCH-RSL10-101S51-ACG
MICROFC-60035-SMT-TR
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