IRF2804PBF，场效应管(MOSFET)英飞凌原装供货

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0504NSI
IRF1104PBF
IPD053N06N
IRFBC20PBF
IPB057N06N
IRLZ24NPBF
IRF100B202
IRF2804PBF
IPP040N06N
SPA08N80C3
IRL2505PBF
IRFR5305TRPBF
IRFR024NTRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR7843TRPBF
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

英飞凌是世界上的功率半导体元件制造商，可提供品类的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后，英飞凌将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系，进一步加强和扩展了该产品组合，从而得以立足于行业。

英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案，如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0702LS
IRF9540NPBF
IRFP250NPBF
BSS169H6327
IRFB3607PBF
IRFP260NPBF
IRFB4110PBF
IRFP250MPBF
IRFP150NPBF
BSS84PH6327
IRF5210PBF
IRLZ44NPBF
IRF630NPBF
IRFZ24NPBF
SPW47N60C3
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0805LSATMA1
IRFS7530TRLPBF
IRFS4115TRLPBF
IRFS7437TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
IRF520NSTRLPBF
IRF3415STRLPBF
IRFS4010TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
IRLTS2242TRPBF
IRFS7430TRL7PP
BSC0702LSATMA1
IRLHS2242TRPBF
IRFTS8342TRPBF
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。

P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择，包括B保护， 崇敬极性保护， 线性电池充电器， 负载开关，直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.汽车应用
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSZ010NE2LS5ATMA1
BSL215CH6327XTSA1
ISC011N06LM5ATMA1
BSC005N03LS5ATMA1
IRF9540NSTRLPBF
IRF5210STRLPBF
IRLML9301TRPBF
IRLML5203TRPBF
IRLML2402TRPBF
IRFS3607TRLPBF
IRLML6346TRPBF
IRF530NSTRLPBF
IRLML2244TRPBF
IRLML2060TRPBF
IRF5305STRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！

英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合，采用引线封装，采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品，具有低的 RDS（开启）在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌全系例型号大全（部分）：
IKW50N60T
IKW75N60T
IKA15N60T
IKW08T120
IKW15T120
IGW60T120
IKW30N60T
IKW40T120
IKP10N60T
IKP15N60T
IKW40N65H5
IKW50N65H5
IGP20N65H5
IKW30N60H3
IKW40N60H3
更多型号请联系我们的业务专员，我们将竭诚为你服务！

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻（RDS（开启）*一）
输出电容中的能量存储非常低（E开放源码软件） @400V
低栅极电荷（Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点：
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用
Infineon英飞凌全系例型号大全（部分）：
ICE3PCS03GXUMA1
ICE2QR2280G
ICE2QR2280Z
BSP76E6433
TLE6251DS
TLE9251VSJ
TLE6250GV33XUMA1
TLE6250G
TLS4120D0EPV33XUMA1
TDA21472
TLE8366EV50XUMA1
IR3897MTRPBF
XDPS2201XUMA1
ESD108B1CSP0201XTSA1
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1
ESD103-B1-02ELE6327
ESD105-B1-02ELE6327
ESD101B102ELSE6327XTSA1
ESD128B1W0201E6327XTSA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货，欢迎商务联系合作！