IRFR13N15DTRPBF产品特性:
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能,即英飞凌超级势垒二极管(单片集成肖特基二极
管)。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0504NSI
IRF1104PBF
IPD053N06N
IRFBC20PBF
IPB057N06N
IRLZ24NPBF
IRF100B202
IRF2804PBF
IPP040N06N
SPA08N80C3
IRL2505PBF
IRFR5305TRPBF
IRFR024NTRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR7843TRPBF
常用型号大量现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
英飞凌是世界上的功率半导体元件制造商,可提供品类的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后,英飞凌将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系,进一步加强和扩展了该产品组合,从而得以立足于行业。
英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案,如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0702LS
IRF9540NPBF
IRFP250NPBF
BSS169H6327
IRFB3607PBF
IRFP260NPBF
IRFB4110PBF
IRFP250MPBF
IRFP150NPBF
BSS84PH6327
IRF5210PBF
IRLZ44NPBF
IRF630NPBF
IRFZ24NPBF
SPW47N60C3
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN (氮化镓)晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验,英飞凌完善了增强模式方案,并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准,于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0805LSATMA1
IRFS7530TRLPBF
IRFS4115TRLPBF
IRFS7437TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
IRF520NSTRLPBF
IRF3415STRLPBF
IRFS4010TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
IRLTS2242TRPBF
IRFS7430TRL7PP
BSC0702LSATMA1
IRLHS2242TRPBF
IRFTS8342TRPBF
我司承诺所有产品均为原装,可提供专项发票。
P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择,包括B保护, 崇敬极性保护, 线性电池充电器, 负载开关,直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.汽车应用
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSZ010NE2LS5ATMA1
BSL215CH6327XTSA1
ISC011N06LM5ATMA1
BSC005N03LS5ATMA1
IRF9540NSTRLPBF
IRF5210STRLPBF
IRLML9301TRPBF
IRLML5203TRPBF
IRLML2402TRPBF
IRFS3607TRLPBF
IRLML6346TRPBF
IRF530NSTRLPBF
IRLML2244TRPBF
IRLML2060TRPBF
IRF5305STRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货,欢迎咨询合作!
英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合,采用引线封装,采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品,具有低的 RDS(开启)在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
IKW50N60T
IKW75N60T
IKA15N60T
IKW08T120
IKW15T120
IGW60T120
IKW30N60T
IKW40T120
IKP10N60T
IKP15N60T
IKW40N65H5
IKW50N65H5
IGP20N65H5
IKW30N60H3
IKW40N60H3
更多型号请联系我们的业务专员,我们将竭诚为你服务!
IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻(RDS(开启)*一)
输出电容中的能量存储非常低(E开放源码软件) @400V
低栅极电荷(Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点:
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用
Infineon英飞凌全系例型号大全(部分):
ICE3PCS03GXUMA1
ICE2QR2280G
ICE2QR2280Z
BSP76E6433
TLE6251DS
TLE9251VSJ
TLE6250GV33XUMA1
TLE6250G
TLS4120D0EPV33XUMA1
TDA21472
TLE8366EV50XUMA1
IR3897MTRPBF
XDPS2201XUMA1
ESD108B1CSP0201XTSA1
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1
ESD103-B1-02ELE6327
ESD105-B1-02ELE6327
ESD101B102ELSE6327XTSA1
ESD128B1W0201E6327XTSA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货,欢迎商务联系合作!