高可靠烧结银替代德国烧结银三代半加压烧结银

烧结银可以解决现有存在的五个难题
总所周知，不论是碳化硅模块还是硅IGBT，电力电子发展总体目标是提高功率（电流，电压）——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命，稳定性和可靠性——在降低失误率的同时简化控制和保护电路到后的降低成本。

目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能，碳化硅、氮化镓（射频／非射频）模块封装也向着更高的集成度方向发展。

相比焊接模块，加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响，采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍，

芯片连接采用银烧结合金而不是焊接，烧结连接熔点更高，这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多，功率模块的热循环能力可增加5倍。

目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段，纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比：

在银烧结技术中，为了防止氧化和提高氧化层的可靠性，需要在基板裸铜表面先镀镍再镀金或镀银，同时烧结温度控制和压力控制也是影响功率模组质量的关键因素。