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AMC对当前的IC生产其潜在的污染比粒子污染要广泛多，粒子污染控制只要确定粒径及个数，但对AMC控制而言，除了受芯片线宽的缩小而变化外，并受工艺、工艺设备、工艺材料及园片传送系统等的影响，更有甚者用于某一工序的各种工艺材料(化学品、特种气体等)在很多情况下其微量的分子对下一工序往往可能是污染物，而园片加工工序当前已多于3多个立工序，对AMC控制指标的确定更是复杂。IC生产对AMC的控制，对不同的产品、不同的工艺、不同的工序及不同的工艺材料会有不同的要求，对各种污染物质的要求当前总的说法是控制在亚pptm～1pptm间。其中以电弧炉-红外法燃烧速度快，高频炉-红外法应用广泛，而管式炉-红外法生成CO的量少。为了提高分析的精度与准确度，工作实践中发现影响因素较多，有仪器硬件问题，也有分析方法问题。下面向大家介绍下仪器分析性能的检验。冷热态基线试验。采用仪器分析条件，不加坩埚和样品进行一次分析，即冷态基线试验。同样采取上述的分析条件进行一次样品分析，分析结束后不移走坩埚，立即再执行一次不加样品和添加剂的试验，即热态基线试验。