宽禁带烧结银膏AS9385烧结银膏
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现有的银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上,生产效率较低;加压烧结银AS9385整个烧结过程可以缩短到20分钟。
善仁新材建议:烧结温度、烧结压力、烧结气氛都对会银烧结环节产生较大影响,这就需要的设备来配合一起解决这些问题。
随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)越来越多的应用在更加高温、高压和高频的环境,相应的封装材料和结构,尤其是芯片-基板的互连,在导热、导电和可靠性方面提出了更为严苛的要求。