有压纳米烧结银碳化硅烧结银上海烧结银
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传统钎焊料熔点低、导热性差,难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)的快速发展,对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。
以AS9385有压烧结银膏为例,在烧结过程中,银颗粒通过接触形成烧结颈,银原子通过扩散迁移到烧结颈区域,从而烧结颈不断长大,相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小,形成连续的孔隙网络,随着烧结过程的进行,孔洞逐渐变小,烧结密度和强度显著增加,在烧结后阶段,多数孔洞被完全分割,小孔洞逐渐消失,大空洞逐渐变小,直到达到终的致密度。
烧结得到的连接层为多孔性结构,孔洞尺寸在微米及亚微米级别,连接层具有良好的导热和导电性能,热匹配性能良好。