善仁烧结银胶,常州半导体器件低温烧结银报价

近年来，对于小型化、高功能化的电子零器件(例如功率器件或大功率发光二极管(LED))的需求扩大。功率器件作为可抑制电力损耗并率地转换电力的半导体元件，在电动汽车、快速充电器等领域中普及发展。

在如上所述的电子零器件的小型化、高功能化的进展中，半导体元件的发热量具有增大的倾向。然而，若电子零器件长时间暴露在高温环境下，则寿命急剧减少。因此，对于芯片粘接材料散热的要求越来越高。

善仁新材烧结银烧结一般可以分为初期、中期和后期，它们之间没有明显界限。

烧结初期，颗粒在烧结驱动力的作用下会进行一定的重排，增加接触面积，生成烧结颈（necks），烧结初期一直持续到烧结颈的直径达到颗粒直径的0.4~0.5倍。

烧结中期是从孔洞（pores）达到平衡形态（equilibrium shapes）开始的，这一阶段主要是致密化，与终产物密度的相关性达到97%，因此是烧结过程的主要阶段。

终阶段时孔洞变得不稳定，相互融合产生更大孔洞。多晶材料中的烧结机理，只有晶界处和烧结颈的缺陷处的体积扩散（volume diffusion）才能产生致密化。

善仁新材开发的烧结银技术被定位为继焊料之后的次世代接合技术，由于比焊料更能耐受高温，具有的散热性，可望适用于电动车(EV)、碳化硅(SiC)功率半导体等用途。但相对于焊料在回焊(Reflow)时可快速接合，很多国外的烧结银则须利用装置进行加压制程，因此有生产效率的问题，且加压装置会增加投资成本。