FDMS86150，场效应管(MOSFET)ON进口原装供货

MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NB100LVEP221MNRG
M74VHC1GT126DF1G
MC100LVEP05MNTXG
FCH029N65S3-F155
NTTFS2D1N04HLTWG
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NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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NCV8450ASTT3G简述：
该NCV8450是一款完全受保护的高侧智能分立器件，典型 RDSOn 为 1 Ω，内部电流限制为 0.8 A（典型值）。该器件可以切换各种电阻、电感和容性负载。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
ISL9V5045S3ST-F085C
NVMFS5C612NLWFAFT1G
FCPF250N65S3L1-F154
NVMFS5C410NWFAFT3G
FCH165N65S3R0-F155
NVMFS5C404NWFAFT1G
NB7NPQ1404E2MMUTWG
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CAT4104V-GT3简述：
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流，可驱动串联的高亮度 LED，每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压，支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护，可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR0230CSSC12SUEA0-DR
AR1820HSSC00SHEA0-DR
AR0237CSSC12SPRA0-DR
AR0237CSSC12SHRA0-DR
FCPF250N65S3R0L-F154
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NCP1399ACDR2G
NCP1399是一款用于半桥谐振转换器的电流模式控制器。这款控制器实施了600V栅极驱动器，简化了布局，减少了所需的外部组件数量。内置的欠电压输入功能简化了控制器在所有应用中的实现。在需要PFC前级的应用中，NCP1399具有一个输出来驱动PFC控制器。这个功能结合的Skip模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、防止硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动死区时间调节、过电压（OVP）和过温（OTP）保护。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
MC74LVXT8051DR2G
NB7NPQ1002MMTTWG
NCP1253BSN100T1G
NCP3335AMN280R2G
NCP380LSNAJAAT1G
NCP45520IMNTWG-L
NCP716BCSN330T1G
NCP716BCSN500T1G
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ON/安森美全系列产品优势供货，提供产品有：
无线连接
低功耗蓝牙
分立器件和功率模块
MOSFET系列
电源模块
碳化硅（SiC）
所有其他
电源管理
信号调理与控制
传感器
电机控制
定制和特殊替代产品供应商
接口
时序、逻辑和存储器
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCH-RSL15-512-101Q40-ACG
NCH-RSL15-284-101Q40-ACG
LC70310KBG-UMC-TLM-H-ON
AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1
AR0135CS2C00SUEA0-DRBR
AR0135CS2C00SUEA0-DPBR
ASX340CS2C00SPED0-DRBR
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