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再简单一点，就是考虑更好的散热吧。功率管发热功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。LTE测试技术虽进步显著未来仍面临三重关互操作测试任务仍艰巨三大运营商3G网络已完成大规模建设，新部署的LTE网络在较长时期内难以达到2G/3G网络的覆盖广度和深度，且VoLTE技术目前还不够成熟，因此LTE与2G/3G网络不能孤立运行，通过互操作来业务在网络之间的连续性。LTE与2G/3G的互操作包括语音互操作和数据互操作。以移动为例，对于数据互操作，不仅要求TD-LTE与TD-SCDMA之间实现空闲态的双向重选、连接态的双向重定向，还要求TD-LTE与GSM网间实现互操作以业务连续性，复杂的切换场景对测试工作而言是艰巨的挑战。

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