烧结的驱动力均为纳米银化学势能或表面能的降低,主要是质量通过从高能量区域迁移到低能量区域来实现的。表面、界面以及晶界的表面能大小依赖于纳米银颗粒的曲率。通过降低它们的曲率来消除或减少界面,纳米银的整体能量得以降低。
复合纳米银膏烧结互连结构可靠性研究
现阶段对于纳米银膏烧结体在较高温度区间的热膨胀行为还鲜有研究,对于纳米银在其烧结温度的环境中长期服役的可靠性研究尚不充分。在已有的研究中,纳米银膏的服役可靠性往往是在低于或接近于其烧结温度的条件下测试的,而第三代半导体器件的服役温度往往纳米银膏的烧结温度。
善仁新材研究表明:由于单一尺寸纳米银膏的烧结体孔隙率高、晶粒尺寸小,当服役温度其烧结温度时纳米银烧结体有可能会发生继续烧结,从而引起烧结体收缩,使得界面间的热机械应力骤然增大,进而导致器件失效。
一是复合纳米银烧结体与其它单一尺寸纳米银烧结体相比,其孔隙率始终保持低(在室温至270℃的烧结温度范围内孔隙率基本保持在13.5%左右);二是复合纳米烧结银烧结体晶粒尺寸在烧结温度130℃后,始终大于其它单一尺寸纳米银膏(烧结温度为270℃的复合纳米银膏烧结体的平均晶粒尺寸为56.8nm);三是复合纳米银膏烧结体中存在大量的共格孪晶,孪晶界有利于提高烧结体导热性能。
2有机酸根和纳米银颗粒表面连接模型是有机酸根的一个羧基和羟基分别通过离子键和氢键与纳米银颗粒表面键合。在烧结过程中,纳米银颗粒表面的有机酸根在150℃左右开始分解,在180-230℃范围内大量分解为丙酮二羧酸或乙酰乙酸,在270℃时基本分解完全。并且,复合烧结银中的50nm银颗粒通过奥斯瓦尔德熟化效应逐渐长大,10nm银颗粒通过融合形成放射状晶粒。放射状晶粒在混合区(非晶银相和有机物的混合相)结晶过程中会受力发生旋转并产生孪晶组织。
4善仁新材复合纳米银墨水AS9001印刷图案的电阻率低于其它单一尺寸纳米银墨水。复合纳米银墨水印刷图案的电阻率随着印刷厚度及烧结温度增加而减小,并且随着印刷次数的增加电阻率下降的速率逐渐降低。当烧结温度为180℃时,厚度为1.7μm的试样的电阻率已经降到了3.54μΩcm。