低孔隙率烧结银膏日本烧结银替代江苏烧结银
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SHAREX善仁新材是烧结银产品和服务的市场。我们针对许多客户的不同应用提供了各种烧结银解决方案,可以提供无压烧结银,有压烧结银,银玻璃烧结银,纳米烧结银等,配合了100多家烧结银客户,累积了丰富的烧结银知识和应用工艺经验。
SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术(Low temperature joining technique,LTJT),作为一种新型无铅化芯片互连技术,AS9385烧结银可在低温(<250℃)条件下获得耐高温(>700℃)和高导热率(~240 W/m·K)的烧结银芯片连接界面,具有以下几方面优势:
相对于焊料合金,银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前,AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注,它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。
2.银烧结技术原理
AS9385银烧结技术是一种对微米级及以下的银颗粒在250℃以下进行烧结,通过原子间的扩散从而实现良好连接的技术。所用的烧结材料的基本成分是银颗粒,根据状态不同,烧结材料一般为烧结银膏工艺为:AS9385烧结银膏印刷印刷——预热烘烤——芯片贴片——加压烧结;
以AS9385有压烧结银膏为例,在烧结过程中,银颗粒通过接触形成烧结颈,银原子通过扩散迁移到烧结颈区域,从而烧结颈不断长大,相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小,形成连续的孔隙网络,随着烧结过程的进行,孔洞逐渐变小,烧结密度和强度显著增加,在烧结后阶段,多数孔洞被完全分割,小孔洞逐渐消失,大空洞逐渐变小,直到达到终的致密度。
烧结得到的连接层为多孔性结构,孔洞尺寸在微米及亚微米级别,连接层具有良好的导热和导电性能,热匹配性能良好。