广西十万倍ZEISS电子显微镜

Gemini 2 型电子光学镜筒让 GeminiSEM 460 成为高束流下获取高分辨率成像和快速 分析的理想之选。另外，它还集上一代 Gemini 光学系统的所有优势于一身。例如， 确保了大视野范围内的无畸变 EBSD 分析和 高分辨率成像的物镜无漏磁设计。
因此您也能够在不影响电子光学性能的前 提下倾斜样品， 甚至还能轻松完成磁性样 品成像。

Nano-twin 物镜
Nano-twin 物镜是一种在低加速电压条件下 工作的电镜( EM ) 物镜。通过优化几何结 构和静电场及磁场分布， 获得出色的信号 探测效率， 从而可以在低电压下达到亚纳 米级分辨率。具体来说， 与标准的 Gemini 物镜相比，它在低电压下的像差降低了 3 倍。这使得样品上的磁场降低了 3 倍， 约 为 1mT ，并能够进行 1kV 以下亚纳米成像， 而无需将样品浸没在电磁场中。

• 通过 Nano-twin 物镜实现低电压下的优 化高分辨率
• 通过新的大视野概览模式实现样品导航和 高分辨率成像之间的无缝过渡
• 通过新的自动聚焦功能和新的快速镜筒对 中算法实现高速优化图像质量。

全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。

背散射电子产生于样品表面之下，可提供 样品材质成分的衬度信息。背散射电子通 常以与入射电子束成 15 度角的圆锥状出 射， 被 Gemini 镜筒电子束推进器吸入后射 到镜筒内。由于二次电子( SE ) 与背散射 电子( BSE ) 具有不同的能量，它们会在电 子束推进器内产生不同轨迹。

大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器，并被 EsB 探测器收集。此外， Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度， 则 BSE 无法进入镜 筒，但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更率，且能实现超速成像。

维修、维护及优化
确保显微镜的正常工作时间。蔡司的维保服务协议可让您的运行成本更经济，避免因停机而 造成的损失，并通过提升系统性能达到理想的工作状态。维保服务协议可为您提供一系列的 可选服务种类以及不同级别的服务。在选择维保服务方案上我们会给予全力支持，以求满足 您的系统需求与使用要求，同时遵守您单位的规定。

产品应用领域
■ 金属 / 高分子 / 陶瓷材料
表面粗糙度分析, 高分辨金相分析, 摩擦磨损分析, 断口分析, 腐蚀研究, 原位分析。
■ 微纳加工
结构分析,表面粗糙度分析, 高深宽比结构表征,膜厚测量。
■ 半导体和微电子
表面缺陷定位和分析、发光缺陷观察,表面粗糙度分析,膜厚测量等。
■ 医疗器械检测
表面粗糙度分析,金相分析,膜厚测量,微生物观察等。
■ 生物材料和医学
金属表面细胞生长研究, 微生物金属腐蚀研究, 植入物表面细菌生长表征等。

成像灵活.光学显微镜和共聚焦显微镜二合一
■ 实现反射光和透射光的观察, 同时也可进 行形貌表征;
■ 使用宽场观察方式实现样品的定位, 便于 共聚焦显微镜进—步原位分析;
■ 无需切换显微镜, 减少仪器设置时间, 提 高获得结果的效率。