普洱高纯碲杂质分析成分检测中心

电导率高。薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l，但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起，一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材，而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序，采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率达到8．1×10n-cm。

而未米的018um}艺甚至013m工艺。所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上，铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足，导体工艺在025um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路，为了解决以上这些问题。需要在铜与介质层之间设置阻挡层，阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物。因此要求阻挡层厚度小于50nm。与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。

光纤是光通讯科技与产业的基础，高纯四氯化锗是高品级石英系光纤不可缺少的关键原料。四氯化锗作为石英系光纤中的主要掺杂剂，其用途是提高光纤的折射指数，降低光损耗。进而提高光纤的传输距离，锗在光纤中的分布和含量决定了光纤的关键性能指标。所以其本身的质量直接影响光纤的性能和质量，四氯化锗可由氯化氢来提纯，这个过程可以去除砷和其他类似的杂质，在-30℃到30℃的温度范围内用无水氯气来提纯。但这个方法不能除去含氢杂质，在1000℃高温下四氯化锗中的氢原子被氯气氯化成氯化氢，从而去除含氢杂质。采用沸石来除去气体(包括四氯化锗气体)中的水分子。

因此铋就成了替代铅的材料，5、蓄电池：在铅酸蓄电池中加入0015％～003％的铋。可以使蓄电池在充放电等性能上均有大的改善和提高，国外蓄电池发展的国家已将其作为发展方向加以实施和推广。6、高纯超细氧化铋：高纯超细氧化铋应用于制造新型陶瓷和半导体。还可用于颜料、涂料的制备和铋基氧化物超导体的研制和开发。7、温差半导体材料：温差材料可以应用在太阳能温差发电元件和温差制冷元件。铋的某些金属化合物如(Bi，Sb)2(Te，Se)3等，特别是以Bi2Te3为基础的固溶体合金，是目前公认的好的半导体制冷材料。

其名源自tellus。意为“土地”，1782年米勒·冯·赖兴施泰因(FJMüllervonReichenstein)发现，碲为斜方晶系银白色结晶。溶于硫酸、硝酸、王水、氰化钾、氢氧化钾；不溶于冷水和热水、二硫化碳，高纯碲以碲粉为原料，用多硫化钠抽提精制而得，纯度为99999%。供半导体器件、合金、化工原料及铸铁、橡胶、玻璃等工业作添加剂用。碲有两种同素异形体，即黑色粉末状、无定形碲和银白色、金属光泽、六方晶系的晶态碲半导体。禁带宽034电子伏，[4]。碲的两种同素异形体中，一种是晶体的碲，具有金属光泽，银白色。

钼舟，钨舟坩埚：Al2O3在10-4Torr蒸发温度：170℃薄膜的机械和化学性质：有毒，损害真空系统；中文名称：硒。英文名称：Selenium，元素符号Se，元素周期表中原子序数34，VIA族非金属元素。密度为4809g/cm3，熔点221℃，沸点685℃，硒是一种有灰色单质金属光泽的固体。性脆，有毒。能导电，且其导电性随光照强度急剧变化，硒是人体必需的微量矿物质营养素，但摄入过量又会对人体产生危害，硒在地壳中的含量仅为005ppm。且分布分散。年供应量有限。硒的用途非常广泛，涉及电子、玻璃、冶金、化工、医疗保健、农业等领域硒粒。