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因此，在向单晶炉内不断充入 的同时，还用真空泵将混合气体排出炉外；在排气时，混合气体流经 炉中的加热器、坩埚支持器等处，后经过炉下端的排气口排出。上述图1的单晶炉的不足之处在于单晶炉内空间较大，尤其是坩埚 支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出， 热能消耗量较大；另外，现有技术中，从输入管向炉内充入时， 充气气压为1. 3x 103pa，流量为40L/min,因此其消耗量大，生产 成本较高。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，一种实用的单晶炉提拉速度控制系统\前言半导体材料是半导体工业的基础材料 ,在半导体材料中用量和用途广的是半导体硅。当今 95 %以上的半导体器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成电路是硅集成电路。生产集成电路所需要的单晶硅 ,是在硅结晶生长开始时 ,用低速提拉、生长过程均速提拉的办法制成的。提拉速度的控制性能将直接影响到晶体的质量。当今 ,随着 IT产业的迅速发展 ,单晶硅生产市场需求剧,研制一种满足工艺要求、低成本的提拉速度控制系统具有重要的实际意义。

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因此在投资单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场，从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中，实验与数值仿真是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：（1）在阶段,利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整（2）在第二阶段,利用数值模拟是用来确定的晶体生长工艺参数。