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LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。SN65HVD251收发器支持5kbps的波特率，同时电磁辐射较TJA1040T的更小，并且三者保持管脚兼容，区别在于SN65HVD251的差分电压幅度较大。MC33901收发器支持5kbps波特率，同样具有电磁辐射较小的特点，在各种波特率下均无出现严重的过冲现象，但该芯片的使用将5引脚连接到一起，替换原来芯片时，需更改PCB电路设计。表1四种收发器对比注：这里只给出实测结果，详细参数对比见收发器对比文档。

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