IRF8707TRPBF,场效应管(MOSFET)英飞凌原装
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面议
IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 D2Pak 封装
优点:
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平:针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化,能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装(高达 195 A,取决于芯片尺寸)
可进行波峰焊
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
SPP17N80C3
IRF100S201
IRFZ48NPBF
IRL520NPBF
SPA20N60C3
IRL40SC228
IRF3415PBF
IRFZ44VPBF
IRF1407PBF
IRFZ46NPBF
SPW17N80C3
IRF250P225
IRF135S203
IRF200P223
SPA11N60C3
常用型号大量现货,更多型号请咨询,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
SPB80P06P-G描述:
P 沟道增强模式 场效应晶体管 (FET), -60V, D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求,例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要:
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准,无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IPT007N06N
IRL540NPBF
IRF100B201
BF998E6327
SPW20N60C3
IRFZ34NPBF
IRF2807PBF
IRF200P222
IRF520NPBF
IRF200S234
IRF1404PBF
SPP20N60C3
IRF1405PBF
IRLZ34NPBF
IRF540ZPBF
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
英飞凌是世界上的功率半导体元件制造商,可提供品类的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后,英飞凌将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系,进一步加强和扩展了该产品组合,从而得以立足于行业。
英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案,如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC0702LS
IRF9540NPBF
IRFP250NPBF
BSS169H6327
IRFB3607PBF
IRFP260NPBF
IRFB4110PBF
IRFP250MPBF
IRFP150NPBF
BSS84PH6327
IRF5210PBF
IRLZ44NPBF
IRF630NPBF
IRFZ24NPBF
SPW47N60C3
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!
AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛,包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统,并推动着自动化,电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域,在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且,所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IPB160N04S4-H1
IRFR3709ZTRPBF
IRFS7730TRL7PP
IRFS7534TRLPBF
IRF6215STRLPBF
IPD25N06S4L-30
IRFS4127TRLPBF
IRFR4105ZTRPBF
IRFZ34NSTRLPBF
IRFTS9342TRPBF
IRFR220NTRLPBF
IRFR5410TRRPBF
IRFHS9301TRPBF
IPD70N10S3L-12
IPD30N10S3L-34
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IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低,仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压,并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势,面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力,功耗极低。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
IRLML9303TRPBF
IRF3710STRLPBF
IRLML2246TRPBF
IRFS7530TRL7PP
IRLML5103TRPBF
IRLML6246TRPBF
IRFHM9331TRPBF
BSC0802LSATMA1
IRFR3410TRLPBF
IRFS7440TRLPBF
IRLMS6802TRPBF
IRFS4229TRLPBF
IRFR3710ZTRPBF
IRLR024NTRLPBF
IRFR6215TRLPBF
芯片提供商,每一片都是原装,让您用的放心,助力贵公司发展!
英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑,包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度,而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中,英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能,而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌全系列型号大全(部分):
BSC117N08NS5ATMA1
BSS123NH6433XTMA1
BSC040N10NS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1
IPD70R900P7SAUMA1
BSS138NH6433XTMA1
BSS123NH6327XTSA1
IPP040N06N3GXKSA1
IPD60R360P7SAUMA1
IPB200N25N3GATMA1
BSD223PH6327XTSA1
BSZ063N04LS6ATMA1
BSS192PH6327FTSA1
BSC110N15NS5ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1
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