BSP77E6433HUMA1，功率电子开关英飞凌原装供货

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0504NSI
IRF1104PBF
IPD053N06N
IRFBC20PBF
IPB057N06N
IRLZ24NPBF
IRF100B202
IRF2804PBF
IPP040N06N
SPA08N80C3
IRL2505PBF
IRFR5305TRPBF
IRFR024NTRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR7843TRPBF
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0805LSATMA1
IRFS7530TRLPBF
IRFS4115TRLPBF
IRFS7437TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
IRF520NSTRLPBF
IRF3415STRLPBF
IRFS4010TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
IRLTS2242TRPBF
IRFS7430TRL7PP
BSC0702LSATMA1
IRLHS2242TRPBF
IRFTS8342TRPBF
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。

英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品，专为汽车申请，符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC117N08NS5ATMA1
BSS123NH6433XTMA1
BSC040N10NS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1
IPD70R900P7SAUMA1
BSS138NH6433XTMA1
BSS123NH6327XTSA1
IPP040N06N3GXKSA1
IPD60R360P7SAUMA1
IPB200N25N3GATMA1
BSD223PH6327XTSA1
BSZ063N04LS6ATMA1
BSS192PH6327FTSA1
BSC110N15NS5ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。

汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 （SiC） MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET，包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性，并在空间和重量类别方面节省成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IHW30N135R5
IKW30N65WR5
FF200R12KT4
IHW20N135R5
FF100R12KS4
IKW40N65ES5
FF150R12KS4
IKA15N65ET6
AUIRG4PH50S
FF450R12KT4
IKW50N65ET7
IKW50N65EH5
IKW40N120CS6
IRGP4066DPBF
IRGP4063DPBF
原装，诚信合作，欢迎合作！

英飞凌汽车 MOSFET 用于驱动泵、风扇、通风、座椅调节或天窗等各种应用中的电机。它们还用于安全关键应用，例如电动助力转向（每股收益），电动制动和喷射系统.此外，它们充当开关车载充电器,高压/低压直流/直流转换器,电池管理系统和逆 变 器.
Infineon英飞凌全系例型号大全（部分）：
DSL70E6327HTSA1
ESD131B1W0201E6327
TVS3V3L4UE6327HTSA1
ICE3BS03LJGXUMA1
ICE5AR4780BZSXKLA1
ICE2PCS01G
ICE3PCS01G
ICE2PCS02G
ICE3PCS03G
ICE3PCS02G
TDA4863-2G
IR3889MTRPBF
IR1153STRPBF
ICE3A2065ELJ
IR11682STRPBF
我们只做原装，为提供的每一颗芯片负责。欢迎咨询合作！