CLIP烧结银银烧结

AS9378主要应用领域：第三代功率半导体器件、大功率发光二极管、大功率芯片、光通讯 TO 器件、大功率模块和其他需要高导热、导电和高强度粘接的场合。

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的烘烤曲线
1）从室温升温至 80℃，升温速率 3℃/min。在 80℃保温 40 分钟；
2）从 80℃升温至 130℃，升温速率 3℃/min。在 130℃保温 40 分钟；
3）从 130℃升温至 200℃，升温速率 5℃/min。在 200℃保温 120 分钟；
4）降温时间 60

以上数据信息是基于我们在温度 25℃，湿度 70％的环境下对产品研究测试所得到的典型数据，仅供
客户使用时参考，并不能完全于某个特定环境进能达到的全部数据。

大面积烧结银适用芯片尺寸≦8×8mm；
5. 对于芯片尺寸≦4×4mm，湿胶厚度 50-80μm；芯片尺寸 5×5 ~ 8×8mm，湿胶厚度 90-120μm。

大面积烧结银的注意事项
1. 本银膏密封储存在冷柜内，-30℃以下保存有效期 6 个月；
2. 根据实际需求选择粘接层厚度，太薄或太厚可能影响产品性能；