有压烧结银替代德国烧结银三代半加压烧结银
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烧结银可以解决现有存在的五个难题
总所周知,不论是碳化硅模块还是硅IGBT,电力电子发展总体目标是提高功率(电流,电压)——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命,稳定性和可靠性——在降低失误率的同时简化控制和保护电路到后的降低成本。
而在电动车辆中,电力电子器件节省空间、重量轻、并且即使在恶劣的条件下也要工作可靠。为了满足这些要求,传统基于模块的封装方式已经不能适应下游市场发展的需要,
烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升5倍,国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.
同时在此基础上开发出双面银烧结技术,将银带烧结在芯片正面代替了铝线,或取消底板将基板直接烧结在散热器上,大大简化了模块封装的结构。
芯片连接采用银烧结合金而不是焊接,烧结连接熔点更高,这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多,功率模块的热循环能力可增加5倍。
目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段,纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比: