上海烧结银有压烧结银膏高温服役烧烧结银

高导热率：导热率可达3130W/mK
4高导电率：体阻低至2.2*10-6
5 耐候性好：-55-250°C

1降低综合成本：可以支持高电压和更高工作温度的硅以及宽能隙器件，并且帮助客户每千瓦成本降低40％以上。

随着汽车的电子化和EV、HEV的实用化以及SiC/GaN器件的亮相等，车载功率半导体正在走向多样化。比如，不仅是单体的功率MOSFET，将控制IC（电路）一体化了的IPD（IntelligentPowerDevice）也面世且品种不断增加。

多样化了的车载功率半导体，尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加，为了应对这个问题，就要求封装实现（1）低电阻、（2）高散热、（3）高密度封装。而AS9385烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。

当前功率半导体行业正在面临SiC和GaN等宽禁带半导体强势崛起，随着电动汽车市场的增量放大，消费者对汽车的高续航、超快充等要求越来越高，电力电子模块的功率密度、工作温度及可靠性的要求也在越来越复杂，封装成了提升可靠性和性能的关键。封装是承载器件的载体，也是SiC芯片可靠性、充分发挥性能的关键。

烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；一般的导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。

对于大功率芯片封装来说，烧结银表现出了传统解决方案所没有的优势。