宁波销售晶圆理片器半导体自动缺角器

晶圆在加工过程中，需要对其进行划片处理，目前现有的晶圆划片设备村子按以下不足：1、晶圆初的放置随意性较大，影响后续晶圆的对正工作；2、每次只能对晶圆的一个表面进行划片处理，导致正反面划片的深度难以控制，增加了后期打磨的工作。

在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。

顶面碎片(TSC, top-side chipping)，它发生晶圆的顶面，变成一个合格率问题，当切片接近芯片的有源区域时，主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。背面碎片(BSC, back-side chipping)发生在晶圆的底面，当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候(图1b)。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候，BSC变成一个合格率问题。

为了接收今天新的切片挑战，切片系统与刀片之间的协作是必要的。对于(high-end)应用特别如此。刀片在工艺优化中起主要的作用。为了接纳所有来自于迅速的技术发展的新的切片要求，今天可以买到各种各样的刀片。这使得为正确的工艺选择正确的刀片成为一个比以前更加复杂的任务。

切割参数对材料清除率有直接关系，它反过来影响刀片的性能和工艺效率。对于一个工艺为了优化刀片，设计试验方法(DOE, designed experiment)可减少所需试验的次数，并提供刀片特性与工艺参数的结合效果。另外，设计试验方法(DOE)的统计分析使得可以对有用信息的推断，以建议达到甚至更高产出和/或更低资产拥有成本的进一步工艺优化。

切片工艺变得越来越且要求高。切割迹道变得越窄，可能充满测试用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各种涂敷层。在这些条件下达到大的切片工艺合格率和生产率要求认真的刀片选择和的工艺控制能力。