四川梓冠光电高速光电开关混频器芯片

目前制造SOI晶圆的技术主要有三种：1）注入氧分离技术（Separation by Implanted Oxygen，SIMOX）；2）键合回刻技术（Bond and Etch-back SOI，BESOI）;3)智能剪切技术（Smart-Cut）。
详情介绍：
高速光开关阵列的特点：本系列光开关产品为集成式低损耗，无阻断高速光开关阵列，可用于高速光切换，网络配置及光学包交换。

品名称：NxN速光开关
产品简介：
高速铌酸速光开光具有的开关速度（标准产品是10ns，速产品为<100ps），较低的插损（标准插损3.5dB，插损型号为2dB），高开关速率为亚纳秒，标准产品为10ns开关速率，产品也适合领域的微波通信用途。通道数可定制！

高集成化光开关，作为实现全光交换功能的核心部件，目前国内普遍采用单器件级联拼接的方式实现矩阵化。这种方案在其指标、工艺要求、产品可靠性及成本等方面形成瓶颈，导致国内全光交换应用在推广性、发展难以突破。

为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
大多数光电类型使用pn结，而基于Si或Ge的结称为Si电池或Ge电池。由于具有从可见光到近红外的良好特性，因此具有广泛的应用范围。当以施加反向偏置电压并取出电流的方式使用光伏器件时，其具有的测量特性。通常称为光电二管，它越来越多地代替光电倍增管。光电晶体管使用与光电二管相同的检测方法，但结合了用于放大输出的机制。