在如上所述的电子零器件的小型化、高功能化的进展中，半导体元件的发热量具有增大的倾向。然而，若电子零器件长时间暴露在高温环境下，则寿命急剧减少。因此，对于芯片粘接材料散热的要求越来越高。
随着电子封装产业的迅猛发展，使得市场对大功率半导体器件材料的门槛不断提高。
善仁新材公司致力于成为的低温银浆的，通过公司的纳米材料平台，金属材料平台等，于2019年再国内率先开发出低温纳米烧结银，打破国外技术壁垒，现已开发出一系列低温烧结银胶产品，适用于功率器件、大功率LED、功率模块的粘接和封装。
善仁新材开发的烧结银技术被定位为继焊料之后的次世代接合技术，由于比焊料更能耐受高温，具有的散热性，可望适用于电动车(EV)、碳化硅(SiC)功率半导体等用途。但相对于焊料在回焊(Reflow)时可快速接合，很多国外的烧结银则须利用装置进行加压制程，因此有生产效率的问题，且加压装置会增加投资成本。
善仁新材开发的AS9375功率器件烧结银胶能适用于无加压的低温烧结，具有使用上的便利性。且即使是在无加压的氮气氛围下进行烧结，亦能发挥的接合强度与导电率。
另一方面，善仁新材也正在积极推动比烧结银技术更为困难的烧结铜技术的开发。烧结铜的热传导率与银相当，但在熔点、线性膨胀系数、屈服应力、材料成本等方面都比银有更好的性。
但是以利用纳米粒子进行烧结接合的金属而言，相较于银，铜较容易变成氧化状态，且使用比表面积较大的纳米粒子，氧化倾向就更为显著，氧化被膜一旦生成，将进而导致接合时的阻碍，也因此氧化被膜的生成提高了铜烧结技术的难度。