加压烧结银宽禁带烧结银膏国产烧结银
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基于以上两款焊料的不足,有压烧结银AS9385应运而生,烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题,具有导热系数高,剪切强度大,生产,无铅化、免清洗等特点,是第三代半导体封装的理想焊接材料。
大家可能对93.277MPa没有概念,作为对比,目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa,美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。
银烧结技术具有方面的成本效益,包括高吞吐量、低成本、高良率和低人工成本等。时至今日,已经有不少厂商提供采用银烧结技术制造的功率模块,
现有的银烧结技术需要一定的辅助压力,高辅助压力易造成芯片的损伤;善仁新材的有压烧结银AS9375可以无压烧结;
随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)越来越多的应用在更加高温、高压和高频的环境,相应的封装材料和结构,尤其是芯片-基板的互连,在导热、导电和可靠性方面提出了更为严苛的要求。
相比于传统的焊锡合金和导电银胶等互连材料,善仁新材的有压低温烧结银焊膏AS9385的电导率和热导率可提升3倍,可靠性可提升5倍,并且烧结银熔点为961 ℃,理论上可以在<700 ℃的高温环境下可靠工作,可以满足高温、高功率密度的可靠封装应用需求,得到了越来越广泛的研究和应用。