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碳化硅与氮化镓优势互补。GaN功率半导体的市场应用领域偏向中低电压范围,集中在1000V以下,而1000V以上的中高电压范围内SiC更具优势,两者的应用领域覆盖了新能源汽车、光伏、机车牵引、智能电网、节能家电、通信射频等大多数具有广阔发展前景的新兴应用市场。

5G技术不仅需要超带宽,更需要高速接入,低接入时延,低功耗和高可靠性,以支持海量设备的互联。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更率和更低功耗。

半导体封装材料在电力电子器件中起着信号传递、热量扩散、机械支撑等作用,对半导体器件的服役能力与可靠性寿命有决定性影响。随着半导体器件功率密度与服役温度的提升,导电胶等封装材料已无法满足可靠连接的需求。只有善仁新材的烧结银材可以满足膏功率器件的封装要求。

名称宽禁带烧结银,大功率器件烧结银,激光器件烧结银,大功率LED烧结银,SiC烧结银,IGBT烧结银
价格1800.00 元
地区浙江温州
联系刘志
关键词银烧结工艺,烧结银浆工艺,无压烧结银,烧结银膏
粘合材料类型金属类

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