广东DTSDTS烧结银焊片美国DTS替代
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终端应用市场对于率、高功率密度、节能的系统设计需求日益增强,与此同时,各国能效标准也不断演进,在此背景下,SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性,正在不同的应用领域发光发热。
新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装,以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例,导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术,
单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”,省了芯片与lead frame之间的焊料,优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例,基于GVF预烧结银焊片,相比当前焊接版的TO247-3/4L,可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c),和约45%的瞬态热阻。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性,以及芯片连接的可靠性,并对整个模块的性能进行优化,还能帮助客户提高生产率,降低芯片的破损率,加速新一代电力电子模块的上市时间。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)和金,银,铜表面剪切强度都很大。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以广泛用于:Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF预烧结银焊片的Diffusion Soldering(扩散焊)技术。简而言之,就是在特定温度和压力条件下,使得SiC芯片的背面金属,与Lead Frame表面金属产生原子的相互扩散,形成可靠的冶金连接,以釜底抽薪之势,一举省去中间焊料,所谓大道至简、惟精惟一,惟GVF预烧结银焊片。一言以蔽之:采用了GVF预烧结银焊片时,降低器件稳态和瞬态热阻,同时提高器件可靠性。